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深圳市瑞申電子有限公司

深圳市瑞申電子有限公司是一家10年專業(yè)大功率電感生產(chǎn)加工廠商,主要以大功率,大電流、扁平線圈電感、平面變壓器設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售工廠。設(shè)計(jì)、繞線、組裝、檢測(cè)、包裝、出貨等全制程的工藝流程!擁有完整、科學(xué)的質(zhì)量管理體系。專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)10人,我們的誠(chéng)信、實(shí)力和產(chǎn)品質(zhì)量獲得業(yè)界的認(rèn)可。歡迎各界朋友蒞臨參觀、指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。 ...

大容量NANDFlash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

時(shí)間:2015-04-14 08:24:30 點(diǎn)擊:

1 引言

隨著手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日趨激烈,多媒體手機(jī)逐漸成為市場(chǎng)的寵兒。因?yàn)橛写罅康亩嗝襟w數(shù)據(jù),因此大容量存儲(chǔ)是多媒體手機(jī)所要解決的首要問題。

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也很快,是大數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)的最佳選擇。在選擇存儲(chǔ)方案的時(shí)候,設(shè)計(jì)師必須綜合考慮以下因素:

(1)NOR的讀速度比NAND稍快一些。

(2)NAND的寫入速度比NOR快很多。

(3)NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

(4)大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

(5)NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。

(6)NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。

此外,NAND的使用比NOR的使用復(fù)雜的多。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD.

使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件,這其中包括M-SySTem的TrueFFS驅(qū)動(dòng),該驅(qū)動(dòng)被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symb塑封電感器ian和Intel等廠商所采用。

2 TC58DDM82A1XBJ5在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

在多媒體手機(jī)中,TC58DDM82A1XBJ5主要用來(lái)存儲(chǔ)圖片、聲音文件等數(shù)據(jù)量較大的文件。

TC58DDM82A1XBJ5是Toshiba公司生產(chǎn)的256Mbit工字電感sNANDEEPROM.工作電壓為2.7V~3.6V或者1.65V~1.95V.

存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)為528bytes×32pages×2048blocks.Page的大小為528Bytes,Block的大小為(16K+512)Bytes.

2.1 引腳排列和功能

NANDFlash采用高度復(fù)用的訪問接口,該接口既作地址總線,又作數(shù)據(jù)總線和指令輸入接口。NANDFlash的的接口引腳主要分三類:數(shù)共模電感器據(jù)引腳,控制引腳,狀態(tài)引腳。TC58DDM82A1XBJ5的數(shù)據(jù)引腳為8位,即I/O1~I/O8,用來(lái)輸入/輸出地址,數(shù)據(jù)和指令。有一個(gè)狀態(tài)引腳(RY/BY)用來(lái)表示芯片的狀態(tài),當(dāng)芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入、擦除、隨機(jī)讀取的時(shí)候,其輸出電平為高,表明深圳電感芯片正忙,否則輸出低電平。/WP引腳用來(lái)禁止獲允許對(duì)芯片進(jìn)行寫入操作。當(dāng)其為低電平時(shí)禁止寫操作,反之允許寫操作。控制引腳有6個(gè),見引腳定義。

2.2 TC58DDM82A1與AD6528的連接

AD6528是AnalogDevicesInc.生產(chǎn)的Hermes系列GSM/GPRS處理器。AD6528采用DSP+MCU的雙核結(jié)構(gòu),其中MCU采用的是ARM7,DSP部分選用了ADI自己的ADSP-218xDSP核。

2.3 TC58DDM82A1的操作方式

TC58DDM82A1的地址輸入、命令輸入、數(shù)據(jù)輸入輸出都是通過CLE、ALE、CE、WE、RE、RST、PRE1/PRE2引腳控制??刂七壿嬋绫?所示:

表1 邏輯表

表1 邏輯表
*1:/WP=0,則禁止TC58DDM82A1的Program和Erase操作TC58DDM82A1的各種工作模式,如讀、復(fù)位、編程等,都是通過命令字來(lái)進(jìn)行控制的。



2.4 TC58DDM82A1的時(shí)序分析及驅(qū)動(dòng)程序

可知,第一個(gè)周期,CLE信號(hào)有效時(shí)通過IO口向命令寄存器發(fā)送命令00H.此時(shí)NANDFlash處于寫狀態(tài),因此WE有效,RE無(wú)效。發(fā)送命令后,接著發(fā)送要讀的地址,該操作將占用WE的3個(gè)周期。注意,此時(shí)發(fā)送的是地址信息,因此CLE為低,而ALE為高電平。當(dāng)信息發(fā)送完畢后,不能立刻讀取數(shù)據(jù),因?yàn)樾酒藭r(shí)處于BUSY(忙)狀態(tài),需要等待2~20ms.之后,才能開始真正的數(shù)據(jù)讀取。此時(shí)WE為高電平而處于無(wú)效狀態(tài),同時(shí)CE片選信號(hào)也始終為低以表明選中該芯片。

完成ReadMode(1)的偽碼如下:

ReadMode1_Func(Cmd, Addr)

{

RE=1;

ALE = 0 ;

CLE = 1 ;

WE = 0 ;

CE=0;

SendCmd(Cmd); // 向NAND 發(fā)送操作命令,此共模電感例中應(yīng)該是00H

WE = 1 ; / / NAND 取走命令

CE = 1 ;

CLE=0; // 發(fā)送命令結(jié)束 大功率電感廠家 |大電流電感工廠
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