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深圳市瑞申電子有限公司

深圳市瑞申電子有限公司是一家10年專業(yè)大功率電感生產(chǎn)加工廠商,主要以大功率,大電流、扁平線圈電感、平面變壓器設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售工廠。設(shè)計(jì)、繞線、組裝、檢測、包裝、出貨等全制程的工藝流程!擁有完整、科學(xué)的質(zhì)量管理體系。專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)10人,我們的誠信、實(shí)力和產(chǎn)品質(zhì)量獲得業(yè)界的認(rèn)可。歡迎各界朋友蒞臨參觀、指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。 ...

COOLMOS與普通VDMOS管在電源系統(tǒng)應(yīng)用的差異及注意事項(xiàng)(如何選擇COOLMOS)

時間:2018-02-05 10:59:19 點(diǎn)擊:

COOLMOS在電源上的應(yīng)用已經(jīng)初具規(guī)模,向英飛凌的產(chǎn)品已經(jīng)全為COOLMOS系列,我們做為電源工程師,在電源開發(fā)的過程中選用COOLMOS應(yīng)該注意什么呢?我簡單的整理了幾點(diǎn),發(fā)出來。拋磚引玉,歡迎大家上傳資料,共同進(jìn)步。

COOLMOS與VDMOS的結(jié)構(gòu)差異

為了克服傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,一些人在VDMOS基礎(chǔ)上提出了一種新型的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超結(jié)器件或COOLMOS,COOLMOS的結(jié)構(gòu)如圖2所示,其由一些列的P型和N型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于P型和N型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使P型和N型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜可以使其導(dǎo)通電阻顯著下降,大約有兩個數(shù)量級。因?yàn)檫@種特殊的結(jié)構(gòu),使得COOLMOS的性能優(yōu)于傳統(tǒng)的VDMOS.

對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。Rdson直接決定著MOSFET單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和,這就是常規(guī)VDMOS的局限性。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對于一個PN結(jié),耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積。常規(guī)VDSMO,P body濃度要大于N EPI,大家也應(yīng)該清楚,PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面,電場強(qiáng)度E越大。對于COOLMOS結(jié)構(gòu),由于設(shè)置了相對P body濃度低一些的P region區(qū)域,所以P區(qū)一側(cè)的耗盡區(qū)會大大擴(kuò)展,并且這個區(qū)域深入EPI中,造成了PN結(jié)兩側(cè)都能承受大的電壓,換句話說,就是把峰值電場Ec由靠近器件表面,向器件內(nèi)部深入的區(qū)域移動了。

COOLMOS在電源上應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)總結(jié)

1> 通態(tài)阻抗小,通態(tài)損耗小。

由于SJ-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS,在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率,SJ-MOS的這個優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上,優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。

2> 同等功率規(guī)格下封裝小,有利于功率密度的提高。

首先,同等電流以及電壓規(guī)格條件下,SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積,這樣作為MOS的廠家,對于同一規(guī)格的產(chǎn)品,可以封裝出來體積相對較小的產(chǎn)品,有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。

其次,由于SJ-MOS的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗,因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去,我們在實(shí)際中往往會增加散熱器來降低MOS單體的溫升,使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS可以有效的減少發(fā)熱量,減小了散熱器的體積,對于一些功率稍低的電源,甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。

3> 柵電荷小,對電路的驅(qū)動能力要求降低。

傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對較大,我們在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會遇到由于IC的驅(qū)動能力不足造成的溫升問題,部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC的驅(qū)動能力,確保MOSFET的快速導(dǎo)通,我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動電路,從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS的柵電容相對比較小,這樣就可以降低其對驅(qū)動能力的要求,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

4> 節(jié)電容小,開關(guān)速度加快,開關(guān)損耗小。

由于SJ-MOS結(jié)構(gòu)的改變,其輸出的節(jié)電容也有較大的降低,從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過程中的損耗。

同時由于SJ-MOS柵電容也有了響應(yīng)的減小,電容充電時間變短,大大的提高了SJ-MOS的開關(guān)速度。對于頻率固定的電源來說,可以有效的降低其開通及關(guān)斷損耗。提高整個電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對較高的電源上,效果更加明顯。

COOLMOS系統(tǒng)應(yīng)用可能會出現(xiàn)的問題<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

1> EMI可能超標(biāo)。

由于SJ-MOS擁有較小的寄生電容,造就了超級結(jié)MOSFET具有極快的開關(guān)特性。因?yàn)檫@種快速開關(guān)特性伴有極高的dv/dt和di/dt,會通過器件和印刷電路板中的寄生元件而影響開關(guān)性能。對于在現(xiàn)代高頻開關(guān)電源來說,使用了超級結(jié)MOSFET,EMI干擾肯定會變大,對于本身設(shè)計(jì)余量比較小的電源板,在SJ-MOS在替換VDMOS的過程中肯定會出現(xiàn)EMI超標(biāo)的情況。

2> 柵極震蕩。

功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴,由于超級結(jié)MOSFET具有較高的開關(guān)dv/dt。其震蕩現(xiàn)象會更加突出。這種震蕩在啟動狀態(tài)、過載狀況和MOSFET并聯(lián)工作時,會發(fā)生嚴(yán)重問題,導(dǎo)致MOSFET失效的可能。

3> 抗浪涌及耐壓能力差。

由于SJ-MOS的結(jié)構(gòu)原因,很多廠商的SJ-MOS在實(shí)際應(yīng)用推廣替代VDMOS的過程中,基本都出現(xiàn)過浪涌及耐壓測試不合格的情況。這種情況在通信電源及雷擊要求較高的電源產(chǎn)品上,表現(xiàn)的更為突出。這點(diǎn)必須引起我們的注意。

4> 漏源極電壓尖峰比較大。

我司MOSFET目前使用的客戶主要是反激的電路拓?fù)?,由于本身電路的原因,變壓器的漏感、散熱器接地、以及電源地線的處理等問題,不可避免的要在MOSFET上產(chǎn)生相應(yīng)的電壓尖峰。針對這樣的問題,反激電源大多選用RCD SUNBER電路進(jìn)行吸收。由于SJ-MOS擁有較快的開關(guān)速度,勢必會造成更高的VDS尖峰。如果反壓設(shè)計(jì)余量太小及漏感過大,更換SJ-MOS后,極有可能出現(xiàn)VD尖峰失效問題。

5> 紋波噪音差。

由于SJ-MOS擁有較高的dv/dt和di/dt,必然會將MOSFET的尖峰通過變壓器耦合到次級,直接造成輸出的電壓及電流的紋波增加。甚至造成電容的溫升失效問題的產(chǎn)生。

目前市場上COOLMOS應(yīng)用及廠家相關(guān)信息收集<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

1> 目前COOLMOS主要應(yīng)用范圍為高端LED電源、通信電源、個人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、手機(jī)、高壓氣體放電燈以及電視機(jī)(液晶或等離子電視機(jī))和游戲機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源或適配器等等。其主要應(yīng)用范圍為高壓段,在低壓段應(yīng)用不太明顯,但也有相應(yīng)的廠家在做中壓段,如AO公司。

2> 目前COOLMOS類產(chǎn)品主要以Infineon一家獨(dú)大,占據(jù)市場比例比較多。當(dāng)然,除了Infineon以外,Toshiba、ST、NCE等廠家也都有COOLMOS產(chǎn)品在推廣應(yīng)用,但市場份額相對占的比較小。

3> 由于Infineon Technologies的COOLMOS目前占據(jù)的市場份額比較大,我們就著重介紹一下Infineon Technologies的COOLMOS系統(tǒng)。Infineon 的COOLMOS主要有C3、CP、C6、CFD、CFD2等系列。

C3系列是Infineon 早期應(yīng)用非常廣泛的COOLMOS系列

CP系列與C3系列相比其主要區(qū)別為其在開關(guān)速度及導(dǎo)通電阻上更有優(yōu)勢。CP系列Infineon 推薦在PFC方面的PWM應(yīng)用。

C6系列為Infineon的第五代產(chǎn)品,網(wǎng)絡(luò)論壇中部分工程師認(rèn)為C3的COST DOWN 版本。

CFD、CFD2系列RDSON比C3系列稍大,但其在TRR特性較好,同時對其體二級管特性進(jìn)行了提高,這也是其FAE推薦客戶使用CFD2系列在LLC電路或橋式電路中(如HID燈)的緣由。

很好的學(xué)習(xí)資料。西安芯派的功率MOS器件在國內(nèi)還是很不錯滴 芯派有COOLMOS嗎 不清楚。同問樓主 芯派有出coolmos了嗎? 好貼,學(xué)習(xí)了,謝謝樓主!

雖然IFX一家獨(dú)大,但是其他幾家也不小,對國內(nèi)的工程師來說,每家都是大家伙,設(shè)計(jì)和制程都是可以信任的。

2012 market share

IFX: 55.9%

ST: 30.7%

Toshiba: 6.7%

Fairchild: 4.9%

Vishay: 1%

總量是5.37億美元


我們無錫新潔能(NCE)做得也不錯哦,市場占有率不錯,做COOLMOS好多年了,有興趣的和我探討一下 Q15814410367 目前國內(nèi)主要有超致半導(dǎo)體做的CoolMOS性能最接近英飛凌的,因?yàn)楣に囎罱咏?,其他都跟英飛凌工藝不同。 很好的資料,值得學(xué)習(xí)
樓主給了這么多問題,有沒有相應(yīng)的解決方法,期待回復(fù)。 芯派的coolmos不錯,性價比很高。

CoolMOS的開關(guān)速度快,所以造成EMI容易超標(biāo),在CoolMOS替換普通VDMOS的時候,適當(dāng)加大驅(qū)動電阻,可以降低EMI,EMI問題還是容易解決。至于雷擊和浪涌問題,還是跟BV值、雪崩電壓、抗雪崩能力相關(guān),在單級PFC電路里面應(yīng)用確實(shí)比較難過雷擊測試,需要前級多做一些吸收surge的措施;另外,提高變壓器的抗飽和能力,避免在雷擊的時候發(fā)生飽和,加大雪崩電流。目前很多客戶做單級PFC的LED電源,會遇到溫升問題,使用CoolMOS之后效果還是明顯。

分析總結(jié)的很有道理。

建議版主和做代理的龍騰能夠針對CoolMOS的問題,做些更為詳細(xì)的解決方法和較詳細(xì)具體的措施,能夠提供下載資料最好。非常感謝

好資料,MARK,多謝樓主

很好的資料,值得學(xué)習(xí)

最近在做一個120W的LLC電源,準(zhǔn)備用COOLMOS。跟英飛凌的FAE聯(lián)系了下,對方推薦用C6的管子,死去如果小的話,對方建議用CFD的管子,據(jù)說CFD將體二極管進(jìn)行了優(yōu)化。是不是集成個肖特基呢?

學(xué)習(xí)

肯定不是集成的肖特基,肖特基一般電壓都比較低,200V以上就比較困難了,據(jù)說英飛凌采用了一種特殊的工藝,增強(qiáng)了CFD系列的反向恢復(fù)能力,具體緣由,就不得而知,因?yàn)槲乙彩亲鲭娫吹摹?/p> 在高壓MOSFET中實(shí)現(xiàn)快恢復(fù)體二極管并不是及集成Schottky,而是在前端制造時,多了兩個步驟:irraditation和annealing,目的是引入recombination center。英飛凌的CFD/CFD2, 威士的EF系列,ST的M5 D系列,肥皂的superFET F系列,Toshiba的W5系列都是快恢復(fù)的

如果死區(qū)大呢,,還能用Cmos嗎,,,,

LLC用C容易炸,,,,

學(xué)習(xí)了,謝謝樓主!

以前在金威源的時候,有供應(yīng)商送ST的COOLMOS替換普通MOS結(jié)果雷擊測試過不了,至今不明白為什么,最終沒采用,請教樓主,這是為什么呢?

樓上的,你好。COOLMOS推廣初期在EAS.反向恢復(fù),等特性上面不及普通的VDMOS。同時由于COOLMOS速度過快,造成的的尖峰問題也是引起失效的一個緣由。據(jù)說,歐美系的COOLMOS在推廣初期在艾默生等大的電源企業(yè)出現(xiàn)了不少的問題,但隨著技術(shù)的改進(jìn),COOLMOS應(yīng)用已經(jīng)比較普及,由于它的導(dǎo)通速度及RDSON等優(yōu)勢,已經(jīng)在高端電源中開始廣泛的應(yīng)用。至于你說的SURGER測試不通過,那就要根據(jù)當(dāng)時的情況查找具體的原因了。使用COOLMOS必然要對板子進(jìn)行一些調(diào)整。

多謝樓主的細(xì)心的回復(fù),受教了,多謝。

英飛凌的CFD系列管子,確實(shí)用集成肖特基替代內(nèi)部體二極管的,詳細(xì)可以參考如下網(wǎng)址;

是這樣嗎,難道CFD2跟CFD不一樣

英飛凌

網(wǎng)址在那里呢,樓上的????????

哪家的快恢復(fù)超結(jié)MOSFET還帶集成Schottky啊,現(xiàn)在價錢都?xì)⒌哪敲磪柡α?,能便宜一個美分都是錢啊

自己看CFD2的官方介紹吧

First 650V technology with integrated fast body diode on the market

學(xué)習(xí)了,英飛凌用不起啊 太貴了

infineon 的 coolmos

st 的 MD-mesh 工藝 MOS

都是差不多的, MD-mesh 稱為多網(wǎng)格工藝,就是理解為 N個微小的 MOS 串并聯(lián)組成一個大 MOS, 從而降低 K 值

K = Rds(on) * Qg


樓上的團(tuán)長,您好。請教兩個問題:

1:ST的MD-MESH工藝MOS命名是怎么跟ST普通MOS區(qū)分開來的,是否后綴C3,C5的為ST的MD-MESH工藝MOS.

2:K值在DATASHEET中需要自己計(jì)算嗎?以前只知道RDS*Qg最優(yōu)化直接決定MOS的綜合損耗的高低,卻沒有量化的認(rèn)識,團(tuán)長能否稍微講的詳細(xì)點(diǎn),多謝了。

answer 1.

ST 的 MOS 分為好幾代的,前幾代的叫 StripFET I/StripFET II/....

后來就是 FD-MESH/SUPER-MESH/MD-MESH/...

MD-MESH 命名: 電流與電壓之間是 NM (這樣也并不絕對)

answer 2.

K值是半導(dǎo)體行業(yè)里的俗稱,datasheet 里是沒有的,K值的減小說明是工藝水平的提升


多謝樓上的細(xì)心的介紹,學(xué)習(xí)了。

樓上對器件很了解啊,以后多多指教,我最近開始用COOLMOS,所以在論壇里關(guān)注這類的帖子。

如果能用我們推廣的 ST VIPer53DIP 做設(shè)計(jì),我們會提供更多的服務(wù)

它也是內(nèi)置 MD-MESH 工藝的 MOS,相當(dāng)于普通的 14N65


是那家代理公司呢,文曄?大連大?VIPER22倒用過,53集成這么大MOS管,散熱問題怎么解決呢?

POWERLION (SZ) TECH. ST 的 design sales

DIP-8 的散熱與 VIPER22 一樣,通過管腳連接 PCB 散熱及本身散熱

VIPERX2 系列,集成的是普通工藝的MOS,53是為了做到 50W 而集成了大功率的MOS利于散熱,內(nèi)部有 current limited。


pwm 跟MOS 二合一的一般功率大于二十瓦就沒優(yōu)勢了吧,PI這一塊做的好,但也只是小功率量比較大點(diǎn),畢竟溫升不好處理,不過集成COOLMOS的倒沒試過,回頭了解下。

PI 的是電壓控制型的,ST的是電流控制型的,兩者差別不用我說,大家都應(yīng)該知道優(yōu)劣

價格這一塊更不用討論了

我們有評估板,目前優(yōu)勢還是有的,元器件數(shù)量節(jié)省了,加工成本也降低了,調(diào)試周期也減小了,可靠性也上升了



下個DATASHEET看下,多謝團(tuán)長。

就你說到這幾個優(yōu)勢pi的都比你的viper強(qiáng)太多英飛凌有集成coolmos的集成芯片那性能比st的強(qiáng)太多了 好貼,收藏了

發(fā)現(xiàn)又一個討論COOLMOS的帖子,與大家分享下。

http://bbs.dianyuan.com/topic/620387

這個帖子里說:

COOLMOS是電子科技大學(xué)陳星弼院士發(fā)明,是中國人發(fā)明的,后來專利賣給INFINEON的。

還說:其實(shí)COOLMOS只是Infineon的注冊商標(biāo),所用的原理是陳星弼的超結(jié)耐壓原理,但陳老的專利只有原理沒有實(shí)現(xiàn)方式;Coolmos目前采用的是多次外延加多次注入的方式實(shí)現(xiàn)超結(jié)結(jié)構(gòu)的;其他廠如fairchild有superMOS,superFET兩種,原理上都是超結(jié)管,但實(shí)現(xiàn)方式分別為深溝槽填充方式和多次外延加注入方式。其他廠如Toshiba商標(biāo)為DTMOS,耐壓原理上也是超結(jié)原理,但實(shí)現(xiàn)方式都有差別。

看來真是先入為主啊,現(xiàn)在我們都稱COOLMOS,其實(shí)應(yīng)該稱超節(jié)MOS更合適點(diǎn)。 準(zhǔn)確講是SJ-COM,是陳院士發(fā)明的因國內(nèi)技術(shù)的局限性就將專利賣給了INFINEON的?,F(xiàn)在與陳院士合作的南京星焱微電子正在不斷的升級SJ-MOS,其實(shí)現(xiàn)在國內(nèi)的SJ-MOS水平也不錯了。

很久沒登陸了,發(fā)現(xiàn)有效的技術(shù)討論挺多的,多謝大家的支持,歡迎大家將COOLMOS的更多技術(shù)以及采購信息貼在論壇里。做成一個COOLMOS的綜合帖子。供大家再使用及選型的時候參考。

記得以前在論壇里看到過一個MOSFET品牌廠家的整理集合。誰有呢,幫忙發(fā)下。

的確在開關(guān)電源里,用超結(jié)MOS代替,普通的mos會出問題,普通的可以正常工作,超結(jié)的mos總是壞。應(yīng)該是柵極震蕩引起,減小柵極電阻都不行,不知怎么才能解決啊。

應(yīng)該有這種可能性,樓主也說了。但普通MOS也有震蕩,并且他的柵極寄生電容更大,更容易震蕩才對。不懂

減小柵極震蕩,增大柵極電阻才對,為什么減小柵極電阻?

減小柵極震蕩:

1,柵極引腳串入磁珠

2,如有二極管快速關(guān)斷電路,去掉驅(qū)動電路中的快速關(guān)斷二極管

3,增大Rg_ext

4, 使用PNP三極管快速關(guān)斷,減小GS 環(huán)路。

增大電阻也不行,用的是PNP三極管快速關(guān)斷,GS環(huán)路也不大。

用示波器測試一下MOSFET 漏極的電壓變化率,dv/dt, 電流變化率,di/dt,

估算MOSFET 源極上電感量和PCB 的寄生電感量,用V=L*di/dt 計(jì)算一下寄生電感引起的電壓幅度。

能詳細(xì)說說串聯(lián)的磁珠怎么選擇嗎?

學(xué)習(xí)了

前一段時間,英飛凌在西安舉行了研討會,很多關(guān)于COOLMOS的應(yīng)用方面的介紹及討論,大家都有去沒呢?回頭我將資料傳上來大家共享

芯派公司有超結(jié)MOSFET,目前已應(yīng)用到康舒和臺達(dá)的產(chǎn)品中,大家可以看看芯派的網(wǎng)站產(chǎn)品介紹,里面后綴帶K的為超結(jié)產(chǎn)品。

http://www.semipower.com.cn/

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