IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優(yōu)化的主要動力。這些型號包括具備快速開關(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。

　　表1簡單介紹了IGBT的3個折衷點，并對相應(yīng)的電流范圍給出了建議。

　　IGBT和二極管的動態(tài)損耗

　　為研究和比較這三款不同芯片在雜散電感從23nH到100nH時的開關(guān)損耗和軟度，我們選用了一種接近最優(yōu)化使用T4芯片的合理限值的模塊。因此，選擇一個采用常見的62mm封裝300A半橋配置作為平臺，而模塊則分別搭載了這三款I(lǐng)GBT芯片。

　　這三個模塊都采用了相同的高效發(fā)射極控制二極管和柵極驅(qū)動設(shè)置。圖1為實驗設(shè)置。

　　圖2顯示了兩個不同雜散電感對配備IGBT-T4的300A半橋的開通波形的影響。

　　當電流升高后，更高的雜散電感Ls不僅可以增大器件端子的電感壓降（Δu=-L*di/dt），而且還能影響電流上升速度di/dt本身。盡管寄生電感使導(dǎo)通速度減緩，但導(dǎo)通損耗卻大幅降低。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠