一、IGBT溉述

　　正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開(kāi)關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管（GTR）已成定論。IEGT在高電壓領(lǐng)域中保持快速開(kāi)關(guān)特性。在20世紀(jì)末，采用特殊結(jié)構(gòu)和特殊少子壽命控制（如質(zhì)子注入加特殊退火工藝規(guī)范）的IGBT，在600—1200V電壓水平下，使工作頻率達(dá)到150kHz（硬開(kāi)關(guān)）和300kHz（軟開(kāi)關(guān)），被稱為霹靂型IGBT。它們將在開(kāi)關(guān)電源中與功率MOSFET競(jìng)爭(zhēng)，以其導(dǎo)通壓降小，電流密度大，電壓等級(jí)高，成本低等優(yōu)點(diǎn)占有優(yōu)勢(shì)。今后十年的開(kāi)關(guān)電源，也許這種IGBT的市場(chǎng)份額將會(huì)擴(kuò)大。

　　二、零電壓IGBT軟開(kāi)關(guān)

　　1、硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)

　　（1）硬開(kāi)關(guān)：開(kāi)關(guān)的開(kāi)通與關(guān)斷伴隨著電壓和電流的劇烈變化，產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。

　?。?）軟開(kāi)關(guān)：在主電路中加上小電感或電容等諧振元件，這樣開(kāi)關(guān)管的通、斷前后引入諧振，開(kāi)關(guān)條件得到改善，從而降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。

　　2、電壓IGBT軟開(kāi)關(guān)

　　IGBT是功率MOSFET和雙極型晶體管組成的復(fù)合器件，IGBT比起MOSFET的優(yōu)越性在于它可以節(jié)約硅片的面積及具有雙極型晶體管的電流特性。

　　3、電路組成

　　感應(yīng)加熱電源隨著工業(yè)的發(fā)展要求，其功率越做越大。這樣，在中小功率場(chǎng)合廣泛應(yīng)用的MOSFET已不能滿足功率要求。在高壓大功率的電源上，IGBT成為主角?？墒荌GBT具

　　有較大的功率損耗。我們?cè)谝葡嗳珮騊WM硬開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)上，增加一個(gè)諧振電感，形成了應(yīng)用IGBT的PB—ZVS—PWM變換器。

　　4、輸入低電壓限制

　　該電源的最低輸入電壓為320V，當(dāng)輸入的電壓低于正常工作需要的最低電壓時(shí)，正常的情況下一般要進(jìn)行關(guān)機(jī)操作，但是，這樣會(huì)使電壓型控制的電源進(jìn)入“閉鎖”模式，即輸出的占空比達(dá)到最大值，無(wú)法對(duì)輸出進(jìn)行調(diào)節(jié)，當(dāng)輸入電壓又回到正常值時(shí)，就會(huì)損壞電源和負(fù)載。另外，輸入電壓越低，通過(guò)功率開(kāi)關(guān)管的電流就‘越大，會(huì)使開(kāi)關(guān)管因功耗過(guò)大而損壞，為此我們?cè)谳斎攵松嫌靡粋€(gè)簡(jiǎn)單的電壓比較器而很好地解決了此問(wèn)題。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠