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深圳市瑞申電子有限公司

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[逆變器]請教下逆變電路轉(zhuǎn)換時柵極電壓振蕩如何消除

時間:2021-03-29 06:03:00 點擊:

逆變電路原理圖如圖所示,當(dāng)上橋臂(或下橋臂)關(guān)斷而下橋臂(或上橋臂)未開通時,柵極電壓會出現(xiàn)震蕩,導(dǎo)致輸出的電壓產(chǎn)生振蕩,可能是電流變化太大導(dǎo)致的,因為當(dāng)負(fù)載較小時會產(chǎn)生振蕩,負(fù)載較大(即電流較?。r電壓就沒有明顯振蕩。

請問這種情況一般如何解決呢?謝謝!

浮空波形。

可能是長線導(dǎo)致的。

戈衛(wèi)東發(fā)表于2017-2-621:34

浮空波形。

可能是長線導(dǎo)致的。

謝謝,請問這個問題如何解決呢?可以通過并聯(lián)電容解決嗎?如果不管它行不,會對后面的電路造成什么影響?

另外我的板子下橋臂柵極的線比上橋臂的長,為什么上橋臂的柵極電壓有震蕩而下橋臂沒有呢?

因為死區(qū)的存在,并且過渡時負(fù)載電流不為0,這個振蕩是必然發(fā)生的。

它可能會給EMC帶來困難,如果EMC沒有問題就不用管。

tianshihe發(fā)表于2017-2-713:13

謝謝,請問這個問題如何解決呢?可以通過并聯(lián)電容解決嗎?如果不管它行不,會對后面的電路造成什么影響?...

上管的柵極是跟隨負(fù)載電壓的,負(fù)載電壓發(fā)生振蕩所以上管柵極也跟著振蕩。

下管沒有這個問題。

戈衛(wèi)東發(fā)表于2017-2-719:25

因為死區(qū)的存在,并且過渡時負(fù)載電流不為0,這個振蕩是必然發(fā)生的。

它可能會給EMC帶來困難,如果EMC沒有問...

我大概懂了,但是還是不太明白為什么過度時負(fù)載電流不為零?是因為MOS管有電容么?

另外我想既然是負(fù)載電壓振蕩,我就在Q2和Q4處各并了一個10uF電容,結(jié)果導(dǎo)致28V和地之間的一個鉭電容炸了,是因為鉭電容兩端過壓了嗎?還是鉭電容兩端出現(xiàn)了負(fù)方向的電壓呢?

tianshihe發(fā)表于2017-2-822:23

我大概懂了,但是還是不太明白為什么過度時負(fù)載電流不為零?是因為MOS管有電容么?

另外我想既然是負(fù)載電...

過壓

lin5674675發(fā)表于2017-2-1013:27

過壓

謝謝。

今天我又做了下實驗,我覺得應(yīng)該是出現(xiàn)了負(fù)電壓吧??

我把電容撤了(還是用原來的逆變),然后直接接變壓器,變壓器后端接6Ω負(fù)載,鉭電容用的50V耐壓的,還是不行,換了無極性的陶瓷電容就好了。

所以我覺得可能是有方向相反的電壓加在鉭電容上了。

tianshihe發(fā)表于2017-2-1417:27

謝謝。

今天我又做了下實驗,我覺得應(yīng)該是出現(xiàn)了負(fù)電壓吧??

我把電容撤了(還是用原來的逆變),然后直...

這種電路容易出現(xiàn)很窄的尖峰,鉭電容太脆,不適用。

lin5674675發(fā)表于2017-2-1013:27

過壓

我錯了,您說的是對的。

是過壓,附上母線電壓的波形。

戈衛(wèi)東發(fā)表于2017-2-1519:40

這種電路容易出現(xiàn)很窄的尖峰,鉭電容太脆,不適用。

嗯,我有看到網(wǎng)上說同樣的耐壓等級,陶瓷電容的實際耐壓比鉭電容高一些。

tianshihe發(fā)表于2017-2-1520:54

嗯,我有看到網(wǎng)上說同樣的耐壓等級,陶瓷電容的實際耐壓比鉭電容高一些。

...

鉭電容的耐壓是破壞限制,大容量陶瓷電容的電壓是容量衰減限制,一般沒有到破壞電壓。

戈衛(wèi)東發(fā)表于2017-2-1522:00

鉭電容的耐壓是破壞限制,大容量陶瓷電容的電壓是容量衰減限制,一般沒有到破壞電壓。

...

受教了。

所以戈老師,請問有沒有辦法能把這個減小呢?

我現(xiàn)在連了個松耦合的變壓器,初級和次級都串了個6uF的補償電容,然后發(fā)現(xiàn)初級線圈那里有振蕩,加了1uF的母線電容發(fā)現(xiàn)振蕩頻率變小,但是幅度變大,而且對次級也造成了影響。

所以這個振蕩應(yīng)該怎么減小呢?

戈衛(wèi)東發(fā)表于2017-2-1522:00

鉭電容的耐壓是破壞限制,大容量陶瓷電容的電壓是容量衰減限制,一般沒有到破壞電壓。

...

補上加母線電容后初級線圈和次級負(fù)載的電壓波形

目標(biāo)是什么?負(fù)載電壓希望是方波?

看你的波形,各種奇怪的振蕩都有。

。

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戈衛(wèi)東發(fā)表于2017-2-1522:26

目標(biāo)是什么?負(fù)載電壓希望是方波?

不是方波,但是要平滑,好的波形不是應(yīng)該平滑么?13樓那個負(fù)載波形還算平滑,我想通過調(diào)整補償電容能夠做到類似于正弦波的形狀。

但是我的兩個上橋臂的MOS管溫度升高很快,我覺得可能和初級線圈兩端電壓的振蕩有關(guān)系,所以想把它消掉或者減小看看。

http://wenku.baidu.com/link?url=...zzI35jrmNvEDGOBsi6G

Siderlee發(fā)表于2017-2-1613:53

http://wenku.baidu.com/link?url=73VWW8TKv15nhaPpE3ubCdJYAyudWh-FfS7GtzXYBacsfCCuEuBXN2bP3W3vzwjJRzGE...

您的意思是自舉電容選小了嗎?但是我量了上橋臂Vgs,發(fā)現(xiàn)Vgs基本在接近15V不會下降,我想應(yīng)該不是自舉電容不夠的原因吧。

附上Vgs圖。

你初級是方波,要在次級得到正弦波,那么低的耦合,還有次級要有諧振,而且頻率要和初級一致。

你還需要抑制不需要的頻率。

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