已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍 http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ 電感帶抽頭嗎? 不然升不到這么高哦 就是直插式的電感,沒抽頭,很好買的那種 你看反了, MOS管導(dǎo)通時(shí),其D極電壓為零。 就是,他的占空比很大,而不是很小 恩,是的,但是關(guān)鍵是我給的pwm信號占空比是2/3,為什么到mos管這就變成0.95左右了,這是為什么呢 拿兩個(gè)探頭,一個(gè)看單片機(jī)的輸出驅(qū)動(dòng)信號,一個(gè)看MOS管G極的驅(qū)動(dòng)信號 很明顯,驅(qū)動(dòng)電壓過低,看了安森美的datasheet,bs107a的極限驅(qū)動(dòng)電壓(1V-3V),考慮參數(shù)差異,以及分布電容的影響,有可能要高于3V,還要考慮你控制器出來的信號的驅(qū)動(dòng)能力,也就是說考慮上升時(shí)間與下降時(shí)間。至于電壓為什么升到那么高,你可以參考boost輸出開路去考慮。 不是,我是想問為什么導(dǎo)通時(shí)間占總周期的0.95以上呢?我看了這個(gè)管子的datasheet,開啟時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間大約都是在10ns左右的 我給的信號是3.3v的,實(shí)測是完全可以使mos管導(dǎo)通的
這個(gè)是pwm信號(ch1)和mos管d級電壓信號(ch2) 你這是4通道的示波器,加多一路看mos管G極的波形,肯定是驅(qū)動(dòng)哪里有問題 pwm信號就是g級波形了 看樓下,我覺得是mos管的開斷時(shí)間比確實(shí)是2:1,主要是二極管的漏電流造成了反向電壓的形成,但是這個(gè)和boost升壓的原理不一樣,boost升壓的vo:vi=1/(1-d),d是占空比d極波形 把DS之間的測試用1V/格,占空比應(yīng)該就差不多了。 還要看一下電感電流是否連續(xù),對不? 找到原因了,是由你后級電路引起的,相當(dāng)于boost開路,開關(guān)管關(guān)斷后,再較短的時(shí)間內(nèi)1uF電容充電完成,二極管關(guān)斷,在關(guān)斷過程中開關(guān)管D端的電壓降到0V,這個(gè)降低到0V是怎樣理解呢?為什么不是與輸入相等的5V?應(yīng)該與二極管的恢復(fù)有關(guān)。明天面試,本人愚鈍,先到這里了 是啊,我也是這么想的,電壓不等于5是因?yàn)槎O管的漏電流造成的,關(guān)鍵是這個(gè)和boost升壓的原理對不上了,boost升壓的vo:vi=1/(1-d),d是占空比 ,電容具有隔直作用,你那個(gè)C40相當(dāng)于把boost電路開路了,你得按照開路去想 那也不該是100多v啊,能解釋下或有相關(guān)理論計(jì)算依據(jù)么 鱉說100v ,放電時(shí)間短的話200v都能嘚瑟出來 什么意思?能詳細(xì)解釋下么?在mos管關(guān)斷的時(shí)間里,電感在很短的時(shí)間內(nèi)就放點(diǎn)完畢了,怎么能通過相關(guān)計(jì)算得到升高到的電壓值? 電感在有電流的情況下,在uS,nS級別的時(shí)間里面可以看成是理想的,當(dāng)MOSFET關(guān)斷,電感的電流未變,但是電阻值從0變?yōu)镹大,歐姆定律即可得出電壓值。 怎么得?N大?我后級沒接負(fù)載,能計(jì)算下么 你就假設(shè)電流1A,輸出電阻,100歐姆?;蛘唠姼械哪芰哭D(zhuǎn)換成電容能量,1/2I2L=1/2CU2。驗(yàn)證這個(gè)說法,加大電容就可以得出來。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠 PCB線路板過孔對信號傳輸?shù)挠绊?
一.過孔的基本概念
過孔(via)是多層PCB的重要組成部分之一,鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡單的說來,PCB上的每一個(gè)孔都可以稱 電感為2MH, 電壓為600V,脈寬為400US,求流過電感的最大電流(電感不飽和)。
通俗點(diǎn)說就是600V的直流電壓加在2MH的電感上400US,電流能達(dá)到多大。
最好給個(gè)公式,感激不盡 之前我這個(gè)電源是好的,我照著做的新做的板子卻不能實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能,帶負(fù)載后電壓降低,想了解下,想了解下這款芯片的調(diào)試資料,謝謝!
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