微控制器的存儲(chǔ)架構(gòu)可能很簡(jiǎn)單（圖1）。但是，隨著應(yīng)用開始朝便攜化、虛擬化和個(gè)性化方向發(fā)展，它們現(xiàn)在變得相當(dāng)復(fù)雜。多核（multicore）、許多核（many core）和集群架構(gòu)，它們同樣在一個(gè)設(shè)備中融合了各種存儲(chǔ)技術(shù)。高端微處理器將多個(gè)緩存級(jí)別與超多的互連和緩存一致方案整合在一起。
不久以前，高速緩存缺失還只能調(diào)用擴(kuò)展到附近硬盤驅(qū)動(dòng)器的事件鏈。而現(xiàn)在，這種效應(yīng)已經(jīng)擴(kuò)展到固態(tài)磁盤（SDD）驅(qū)動(dòng)器和硬盤驅(qū)動(dòng)器，或者可能通過iSCSI將頁(yè)面提供給虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)從而延伸到云或局域網(wǎng)（LAN）。并且與應(yīng)用程序相關(guān)的所有操作都以透明方式處理。
盡管如此，設(shè)計(jì)人員、開發(fā)人員、管理人員和用戶還需要考慮系統(tǒng)要使用的存儲(chǔ)器類型和數(shù)量及其配置方式。由于選擇方案多種多樣，他們現(xiàn)在所面臨的挑戰(zhàn)比過去更大。
圖1：現(xiàn)在，存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)的范圍相當(dāng)廣泛。它甚至可以通過互聯(lián)網(wǎng)連接擴(kuò)展到云領(lǐng)域。
DRAM發(fā)展動(dòng)態(tài)
DRAM的容量越來(lái)越大，速度越來(lái)越高，價(jià)格也越來(lái)越便宜。DDR3雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）目前的最高容量已經(jīng)達(dá)到16GB，運(yùn)行速率為533至800MHz，支持1066至1600 Mtransfers/s。標(biāo)準(zhǔn)DDR3的工作電壓為1.5V，但是最新的低功耗DDR3L的工作電壓為1.35 V，可以顯著降低功耗和減少發(fā)熱。
DIMM和小外形DIMM（SODIMM）是臺(tái)式電腦、服務(wù)器和筆記本電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置，而嵌入式存儲(chǔ)要求同樣永無(wú)止境。BGA器件（比如Micron的DDR3芯片）因其外形尺寸而受到移動(dòng)、工業(yè)和耐用型應(yīng)用的青睞（圖2）。DDR3內(nèi)存與處理器的堆疊式封裝匹配，在蘋果iPad等高端移動(dòng)設(shè)備中非常普遍。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠
