該產(chǎn)品將TDK多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過(guò)薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì),與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過(guò)這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。
該產(chǎn)品通過(guò)采用底面端子結(jié)構(gòu)和高精度切割工藝,實(shí)現(xiàn)了較以往產(chǎn)品更高的尺寸精度,在需要高密度封裝的模塊中也可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的封裝。
該產(chǎn)品的使用溫度范圍為-55℃~+125℃,用于手機(jī)等移動(dòng)通信設(shè)備的高頻電路部分,適合于2.4GHz到5GH插件電感生產(chǎn)廠z范圍內(nèi)的高頻帶使用。
主要應(yīng)用
·智能手機(jī)模壓電感廠、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品
主要特點(diǎn)
·將HDD磁頭的薄膜技術(shù)橫向推廣,在0402尺寸上實(shí)現(xiàn)了高特性(低ESL(等價(jià)串聯(lián)電感)低ESR(等價(jià)串聯(lián)電阻)容量公差:±0.05pF)